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Schon lange hat Micron keine Neuigkeiten im Bereich NAND-Flash-Speicher präsentiert. Doch jetzt überrascht das Unternehmen: Statt der erwarteten Generation 10 (G10) soll nächstes Jahr gleich G11 erscheinen. Bei über 400 Layern und dem angeblich kleinsten Zellabstand der Branche soll die Bitdichte direkt verdoppelt werden.

Quelle: https://www.computerbase.de/news/storage/g11-nand-micron-ueberspringt-g10-und-geht-auf-400-plus-layer-mit-hoechster-bitdichte.99957/

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