Schon lange hat Micron keine Neuigkeiten im Bereich NAND-Flash-Speicher präsentiert. Doch jetzt überrascht das Unternehmen: Statt der erwarteten Generation 10 (G10) soll nächstes Jahr gleich G11 erscheinen. Bei über 400 Layern und dem angeblich kleinsten Zellabstand der Branche soll die Bitdichte direkt verdoppelt werden.
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