Themenzusammenfassung
G11 NAND: Micron überspringt G10 und geht auf 400+ Layer mit höchster Bitdichte
Automatisch ausgewählte Kernaussagen aus den für dich sichtbaren Beiträgen. Jeder Auszug führt zum Original.
Beiträge 1–1 von 1
Ausgangsbeitrag
Schon lange hat Micron keine Neuigkeiten im Bereich NAND-Flash-Speicher präsentiert. Doch jetzt überrascht das Unternehmen: Statt der erwarteten Generation 10 (G10) soll nächstes Jahr gleich G11 erscheinen. Bei über 400 Layern und dem angeblich kleinsten Zellabstand der Branche soll die Bitdichte direkt verdoppelt werden.
Diese automatische Auswahl übernimmt Originalaussagen und bewertet ihre Richtigkeit nicht. Zitate, Spoiler, Codeblöcke, Tabellen und Medien bleiben ausgespart. Lange Textstellen werden gekürzt.